【為什麼我們挑選這篇文章】

美國商務部要求半導體供應鏈企業在 11 月 8 日前填寫一項問卷,收集有關晶片持續短缺的資料。台積電法務長方淑華回應:「台積電絕對不會交出敏感訊息。」

現在英特爾宣佈的 2 奈米製程又快趕上台積電,台積電正面臨美國挑戰。(責任編輯:連柏翰)

英特爾 (INTC-US)  3 月宣布重返晶圓代工產業後,鳴響先進製程競賽第一槍,晶圓代工龍頭台積電 (2330-TW) 還未公布 2 奈米量產時程,三星、英特爾已迫不及待一較高下;繼英特爾宣示要在 2024 年量產 Intel 20A(2 奈米) 製程後,三星也放話 2025 年要超車台積電,搶先量產 2 奈米晶片,先進製程霸主爭奪戰已火熱開打。

台積電先進製程

從台積電先進製程進度來看,目前 3 奈米開發照計畫進行、進度良好,已開發完整平台支援高效能運算及智慧型手機應用,且相較 5 奈米,3 奈米量產首年會有更多新產品設計定案,預計下半年試產,2022 年下半年量產。

不過,對於眾所矚目的下世代 2 奈米製程,台積電僅透露將改採 GAA(環繞閘極) 架構,還未公布量產時程。相較於台積電,目前在先進製程爭霸賽暫居落後的英特爾與三星,顯得野心勃勃,接連對外喊話、公布最新技術進展。

英特爾重返晶圓代工

英特爾今年 3 月才宣布 IDM 2.0 戰略計畫,重返晶圓代工產業與先進製程推進行列,時隔不到半年,就在 7 月時揭示先進製程技術藍圖,將從 4 奈米製程起採用極紫外光 (EUV) 微影技術,2023 年下半年量產 3 奈米製程,2024 年跨入 Intel 20A(即台積電的 2 奈米)、並逐步量產。

若對照與台積電的世代差異,英特爾 4 奈米、3 奈米與台積電量產時間相差 1 年,而從台積電過去先進製程發展軌跡來看,業界普遍預期,台積電 2 奈米可望在 2024 年量產,若以此對照英特爾的 20A 製程,將有機會追上台積電的 2 奈米。

三星決心領先台積電

有別於台積電 3 奈米仍沿用 FinFET(鰭式場效電晶體) 架構,三星決心要趕在台積電前,以 GAA 架構量產 3 奈米,要藉此彎道超車,並宣稱其在 GAA 研發進度領先台積電。

在 6 日舉行的 2021 三星晶圓代工論壇上,三星宣布明年上半年量產第一代 3 奈米 GAA GAE,較原先規劃的今年推出時程延遲,並計畫 2023 年推出第二代 3 奈米製程 GAA GAP;三星也首度提及 2 奈米製程進度,宣示將於 2025 年量產,同樣採 GAA 架構。

不過,若以業界預期台積電 2 奈米問世時程來看,三星仍將落後近一年時間。即便在先進製程推進進度上領先,但晶圓代工良率才是決勝關鍵,三星過去曾有良率不佳、導致客戶投片報廢的不良紀錄,也傳出目前 5 奈米產品良率仍低於 50%,加上採用 GAA 技術門檻更高,要在 3 奈米、甚至 2 奈米上彎道超車台積電,恐怕還要一段時間。

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(本文經合作夥伴 鉅亨網 授權轉載,並同意 BuzzOrange 編寫導讀與修訂標題,原文標題為〈〈觀察〉三星、英特爾拚彎道超車台積電 先進製程霸主之爭決戰2奈米〉。首圖來源: Own work。)