解密第三代半導體

半導體科技日新月異,經過幾十年的努力,今日已正式踏入第三代,寫下半導體產業的新章。什麼是第三代半導體?

半導體世代以「材料」的發展作區別,第一代是矽(Si),第二代是砷化鎵(GaAs)。但近年 5G、電動車快速發展,前兩代的半導體性能已不敷要求。第三代半導體包含氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC),具有高頻、高輸出功率、高耐受電壓等特性,能承受 5G 高頻,以及電動車高電壓的工作環境,成為市場新寵兒。但氮化鎵與碳化矽的差異在哪?它們又各有怎樣的市場潛力?下文為你一一解析。


 

2021/02/24
【5G 時代半導體寵兒】氮化鎵有高頻寬、高功率優勢,是通訊與電源管理的關鍵材料

 


 

2021/02/03
5G 時代熱門半導體:碳化矽、氮化鎵有什麼差別?

 


 

2021/01/10
半導體材料邁入第三代:「氮化鎵」具備寬頻特性,是 5G 時代的台灣代工新領域

 


 

2021/01/02
傳統的矽難以克服高頻能量損耗,「碳化矽」將是 5G 世代的關鍵半導體材料