半導體科技日新月異，經過幾十年的努力，今日已正式踏入第三代，寫下半導體產業的新章。什麼是第三代半導體？

半導體世代以「材料」的發展作區別，第一代是矽（Si），第二代是砷化鎵（GaAs）。但近年 5G、電動車快速發展，前兩代的半導體性能已不敷要求。第三代半導體包含氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC），具有高頻、高輸出功率、高耐受電壓等特性，能承受 5G 高頻，以及電動車高電壓的工作環境，成為市場新寵兒。但氮化鎵與碳化矽的差異在哪？它們又各有怎樣的市場潛力？下文為你一一解析。

 

2021/02/24
【5G 時代半導體寵兒】氮化鎵有高頻寬、高功率優勢，是通訊與電源管理的關鍵材料

 

 

2021/02/03
5G 時代熱門半導體：碳化矽、氮化鎵有什麼差別？

 

 

2021/01/10
半導體材料邁入第三代：「氮化鎵」具備寬頻特性，是 5G 時代的台灣代工新領域

 

 

2021/01/02
傳統的矽難以克服高頻能量損耗，「碳化矽」將是 5G 世代的關鍵半導體材料