台積電揭 2 奈米最新進度:將著重改善 EUV 技術品質

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台積電揭露 2 奈米最新進度 進入技術研發階段。首圖來源:Piqsels

(本文經合作夥伴 鉅亨網 授權轉載,並同意 TechOrange 編寫導讀與修訂標題,原文標題為 〈台積電揭露 2 奈米最新進度 已進入技術研發階段 〉。)

【為什麼我們要挑選這篇文章】被譽為「護國神山」的台積電,年報更是吸引法人及投資人高度關注,畢竟台積電未來的表現,將是牽動台股表現的重要關鍵。

目前最先進的半導體製程為 5 奈米,而台積電揭露最新 2 奈米製程進度,也代表著其半導體工藝又更上一層樓,就連日企也曾向台積電取經建立合作體系。(責任編輯:陳宜伶)

晶圓代工龍頭台積電年報揭露 2 奈米最新進度,在初步研究及路徑尋找後,台積電進入 2 奈米製程技術研發階段,著重於測試鍵與測試載具設計與實作、光罩製作及矽試產。

台積電去年成功量產 5 奈米技術,且受惠客戶對 5 奈米及 7 奈米技術的強勁需求,帶動台積電營收連續 11 年締造歷史新高紀錄。台積電 3 奈米主要客戶已於去年完成矽智財設計,並開始進行驗證,預計今年完成 3 奈米製程技術驗證,以進入試產。

微影技術方面,台積電去年研發重點 3 奈米、2 奈米技術開發,及下世代奈米技術開發的先期準備。針對 3 奈米技術開發,極紫外光(EUV)微影技術展現極佳的光學能力,與符合預期的晶片良率。

台積電:今年 2 奈米將著重改善 EUV 技術品質

台積電研發單位正致力於極紫外光技術,以減少曝光機光罩缺陷及製程堆疊誤差,並降低整體成本。台積電表示,今年在 2 奈米及更先進製程上,將著重於改善極紫外光技術的品質與成本。

相較於前一年度年報中指出,極紫外光技術正逐步邁向全面生產製造就緒。台積電在此次年報中透露,極紫外光光阻製程、光罩保護膜及相關的光罩基板,都展現顯著進步,極紫外光技術已全面量產。

此外,光罩技術在先進微影技術中極為關鍵。台積電去年完成 3 奈米製程光罩技術開發,大量導入更複雜且先進的極紫外光光罩技術,且持續精進極紫外光光罩技術,以滿足 2 奈米微影技術在光罩上的需求。

台積電 3 奈米仍採用鰭式場效電晶體(FinFET)架構,但 2 奈米後將轉向環繞閘極(GAA)架構;未來 2 奈米更先進技術的研發基地將在新竹寶山,同時也在寶山積極爭取土地,2 奈米生產也將落腳於此。

TO 編按:今年首季台積電盈利超乎市場預期,其中 3 奈米鰭式場效電晶體製程(FinFET)開發領先全球,不僅如此,台積電在這次年報上還重新定義「先進製程」,將其更新為 7 奈米或以下。

過去台積電對「先進製程」的定義為 16 奈米以下的製程,如今已更新為 7 奈米或以下,說明該產業的工藝水平已邁入全新階段。

台積電總裁魏哲家表示:「我們預估 3 奈米製程今年可進入風險生產階段,目標是明年下半年實現量產,而去年已進入量產階段的 5 奈米製程,目前受到智慧手機帶動,需求仍十分強勁。」

反觀中國大陸的半導體龍頭中芯國際,如今還停留在 14 奈米製程,若用台積電的標準去衡量,可見該製程在行業中已屬落後。

(本文經合作夥伴 鉅亨網 授權轉載,並同意 TechOrange 編寫導讀與修訂標題,原文標題為 〈台積電揭露 2 奈米最新進度 已進入技術研發階段 〉。首圖來源:Piqsels

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