尺寸小、耐高溫高壓,第三代半導體將帶動高功率被動元件的全球需求!

(圖片來源:鉅亨網資料照)

(本文經合作夥伴 鉅亨網 授權轉載,並同意 TechOrange 編寫導讀與修訂標題,原文標題為 〈〈觀察〉 第三代半導體材料應用廣 被動元件新一波商機 〉。)

【我們為什麼挑選這篇文章】伴隨著產業發展與需求,半導體材料持續精進,其中第三代半導體材料具備尺寸小、耐高溫、耐高壓等特性,被「被動元件」(如電阻器、電容器、電感器、變壓器、二極體)業者普遍看好,另也將開啟電動車、3C 產品、工業生產更廣泛的應用。(責任編輯:賴佩萱)

第三代半導體材料氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC),因擁有小尺寸、耐高溫、耐高壓等特性,將帶動電源、工業、電動車等應用邁向下一個新時代,被動元件業者普遍看好,中高壓、高容值被動元件需求可望跟進成長趨勢,需求同步放大。

編按:半導體材料的發展主要歷經三個階段,第一代是矽(Si)、鍺(Ge)等基礎功能材料;第二代開始進入由兩種以上元素組成的化合物半導體材料,以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等為代表;第三代則是氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等寬頻化合物半導體材料。

第三代半導體適用於更嚴苛的作業環境,應用範圍廣

氮化鎵應用包括 5G 基地台與手機、電源、電動車等三大領域,碳化矽相較氮化鎵,更耐高溫、耐高壓,較適合應用於嚴苛的環境,應用包括不斷電系統、智慧電網、電源供應器等高功率應用領域。

被動元件業者分析,第三代半導體材料發展勢必同步帶動大功率被動元件需求,以氮化鎵為例,由於氮化鎵 Mosfet 具有小巧、高效、發熱低等特點,電源內部設計空間因此增加,原本尺寸小的電解電容及 Disc 安規電容,皆將轉換為大尺寸 MLCC。

大環境對第三代半導體的需求高漲!

研調機構分析資料顯示,氮化鎵市場規模從今年到 2022 年,年複合成長率(CAGR)高達 60%;碳化矽到 2022 年的年複合成長率也高達 40%,也可望帶動大尺寸、高功率的被動元件需求隨之增加。

此外,目前不論蘋果或是中系手機業者,都朝快充領域發展,業者認為,預計到 2022 年,快充可望普及化,對中壓高容的 MLCC 需求大幅提升;另外,電動車充電則是特高壓應用,兩者都是未來趨勢,國內被動元件廠也積極展開佈局。

華新科旗下信昌電因應未來產業應用需求,也持續開發、擴產大尺寸及中高電壓 MLCC 及應用粉末;禾伸堂龍潭新廠明年第三季投產,也鎖定氮化鎵快充以及高階車用 MLCC。

(本文經合作夥伴 鉅亨網 授權轉載,並同意 TechOrange 編寫導讀與修訂標題,原文標題為 〈〈觀察〉 第三代半導體材料應用廣 被動元件新一波商機 〉;首圖來源:鉅亨網。)

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