中國第一、二代半導體技術相對落後,還要再投兆元發展第三代?

保時捷首款純電跑車 Taycan。首圖來源:鉅亨網(圖:AFP)。

本文經 鉅亨網 授權轉載,並同意 TechOrange 編寫導讀與修訂標題,原文標題為 〈 中國傾力發展第三代半導體 台廠挾優勢啖商機 〉。

【為什麼我們挑選這篇文章】先前才傳出「中芯」有可能因為與中國軍方有關聯,美國政府考慮將其加入黑名單,中芯國際 5 日則發出聲明否認,稱與中國軍方「毫無關係」,業界便傳出消息,中國將發起第三代半導體開發計畫。這項計畫會成功嗎?半導體的隱形冠軍台廠們,將會受挫或受惠呢?(責任編輯:鍾佳瑀)

隨著美國政府在半導體領域持續打壓,中國政府有意傾國之力發展第三代半導體產業,第三代半導體產業競爭走向白熱化,台廠挾第一、二代半導體領先優勢,可望搶得先機,除 台積電外,漢磊投控、嘉晶等,都將陸續從今年第四季起放量 ,明年貢獻營收,另外茂矽與環球晶也積極卡位,可望率先搶食商機。

中國將在 10 月投入 10 兆元發展第三代半導體

中國將在 10 月提出的「十四五(第 14 個五年)規劃」中,大舉投入人民幣 10 兆元資金,發展第三代半導體產業,在第一、二代半導體技術相對落後下,中國盼能如 5G 技術一般,藉由第三代半導體技術,在半導體領域彎道超車。

不過,氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等第三代半導體技術難度高,良率更是獲利關鍵,在美中關係緊張下,中國要取得先進半導體設備,難度相當高,且第三代半導體材料被各國視為戰略性資源,中國要取得材料,也有一定的挑戰。

即便先前中國以政策大力扶植半導體產業,訂出 2025 年半導體自製率達 70% 的目標,但在第一、二代半導體技術投資上,目前仍未有明顯斬獲,由台積電前共同營運長蔣尚義出任執行長的武漢弘芯,近期更爆出資金面臨斷鏈危機, 中國要在半導體領域上超車,還有很長一段路要走。

台廠已經先行超車,預計第 4 季開始拉抬產能

反觀台廠,挾著矽製程固有的規模經濟優勢,積極搶進氮化鎵、碳化矽應用領域,並已陸續有斬獲,包括台積電、漢磊投控旗下晶圓代工廠漢磊科、磊晶矽晶圓廠嘉晶、矽晶圓大廠環球晶,都已小量生產中,各廠進度持續穩健向前邁進,效益明年起顯現。

漢磊投控旗下漢磊科與嘉晶,今年第 4 季起 SiC、GaN 等化合物半導體應用將陸續放量,明年產能更將進一步拉升,第 4 季將受惠 IDM 客戶回流,加上 GaN (氮化鎵) 新品試產,營收可望回溫,今、明年受惠第三代半導體需求帶動,營收都將維持成長。

台積電已小量提供 6 吋 GaN-on-Si(矽基氮化鎵)晶圓代工服務,650 伏特和 100 伏特氮化鎵積體電路技術平台,預計今年開發完成。

晶圓代工廠世界先進也與設備材料廠 Kyma、及轉投資氮化鎵矽基板廠 Qromis 攜手合作,著眼開發可做到 8 吋的新基底高功率氮化鎵技術 GaN-on-QST,今年底前送樣客戶做產品驗證,瞄準電源應用。

環球晶旗下佈局的化合物半導體晶圓,包括碳化矽(SiC)、GaN on SiC(碳化矽基氮化鎵)、GaN on Si,碳化矽目前在取得認證中;GaN on SiC 目前做到 4 吋;GaN on Si 的 6 吋產能已量產,正積極投入 8 吋研發。

另外,近來新加入市場的,還有尋求新事業發展的太陽能廠太極,將發展碳化矽長晶與基板,初期切入高壓功率元件應用市場,最快第 4 季可量產基板。

(本文經 鉅亨網 授權轉載,並同意 TechOrange 編寫導讀與修訂標題,原文標題為 〈中國傾力發展第三代半導體 台廠挾優勢啖商機 〉。)

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