【中國 DRAM 自主開發之路】紫光進軍 DRAM,北京正積極減少對美依賴

【為什麼我們要挑選這篇文章】中美貿易戰暫時進入休兵狀態,這場貿易戰裡中、美兩方的「科技大戰」也成了中國  DRAM 自主開發之路的最佳催化劑。

中國自主開發 DRAM 的進展到哪了?他們能做出與國際接軌並競爭的產品嗎?(責任編輯:藍立晴)

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中國大陸紫光集團籌組動態隨機存取記憶體(DRAM)事業群,市調機構集邦科技認為,這將是中國自主開發 DRAM 的新里程碑。

2014 年曾喊出要自主研發 ,美國禁售令讓紫光「重啟計畫」

集邦科技表示,紫光早在 2014 年就曾表達研發 DRAM 的意圖,只是當時為了平衡產業與地方發展,確立紫光發展儲存型快閃記憶體(NAND Flash)的路線,研發 DRAM 計畫無疾而終。

合肥長鑫與晉華是中國投入 DRAM 產業的 2 家公司,其中,晉華遭美國發布禁售令,發展 DRAM 嚴重受挫,集邦科技認為, 這可能是促使紫光重啟開發 DRAM 計畫的主因之一。

集邦科技表示,紫光集團已有長江存儲的建廠經驗,此外,旗下紫光國微也具有 DRAM 相關產品研發實力,而曾任南亞科總經理的 高啟全 將出任 DRAM 事業群執行長,並可藉由他的人脈,補強欠缺的製程技術。 紫光籌組 DRAM 事業群將是中國自主開發 DRAM 的新里程碑

TO 編按:中國首款自主設計 DRAM 傳年底開始量產!

事實上,除了紫光集團,創立於 2016 年的記憶體業者長鑫儲存技術(Changxin Memory Technologies, CXMT,因前身為合肥睿力集成電路,又名合肥長鑫)亦值得關注。

今年 6 月,《日經新聞》 報導,長鑫儲存已經重新設計了自家的 DRAM 晶片,並大幅降低了美國晶片的使用量。

報導指出,長鑫儲存已在中國合肥斥資了 80 億美元(2400 億新台幣)打造了一座晶片製造廠,預計今年底投產,一開始預計將月產 10,000 片矽晶圓。

一位熟悉長鑫儲存計畫的人士說,長鑫今年的資本支出將達到 10 至 15 億美元,這已超越了全球 DRAM 老四「南亞科」去年支出的 6.5 億美元了。

市調機構 CINNO 分析師 Sean Yang 分析,雖長鑫現在 DRAM 矽晶圓月產量不高,但對目前無法完全自製 DRAM 的中國來說,已是一大突破。

《日經新聞》指出,長鑫儲存未來將與巨頭三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron Technology)在每年 1000 億美元的市場中共同競爭。

(本文經合作夥伴 中央社 授權轉載,並同意 TechOrange 編寫導讀與修訂標題,原文標題為 〈紫光進軍 DRAM 集邦:中國自主開發新里程碑 〉。首圖來源:   中央社 。)

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