台積電獲邀 VLSI 研討會,發表 eMRAM 技術與三奈米製程解決方案

VLSI 超大型積體電路。圖片來源:Wikimedia Commons

【為什麼我們要挑選這篇文章】超大型積體電路(VLSI)是一種將大量電晶體組合到單一晶片的積體電路,其整合度大於大型積體電路;但隨著晶片體積持續壓縮,逼近物理極限,製造難度也節節攀升。以晶片製造為強項的台積電,將在 VLSI 研討會上發表 eMRAM 的研究與三篇相關論文;這些研究有利於三奈米製程的發展,也讓摩爾定律可以延續。(責任編輯:郭家宏)

台積電 6 日宣布,將參與 2019 年 VLSI 技術及電路研討會(2019 Symposia on VLSI Technology & Circuits),會中將發表嵌入式磁阻式隨機存取記憶體(eMRAM)的研究現況,更有 3 篇論獲選為亮點論文,探討先進製程電晶體及整體系統,預料將成 VLSI 中一大亮點。

台積電將在 VLSI 研討會分享非揮發性 eMRAM 技術

台積電表示,今年 VLSI 研討會主題是「將半導體推向極限,實現無縫聯結新世界」,將發表專篇論文,闡述嵌入式磁阻式隨機存取記憶體(eMRAM)的研究現況,另有也有 3 篇論文獲選大會肯定為亮點論文。

台積電表示,論文將展現台積電先進邏輯電晶體使用的創新材料,特殊製程技術組合中的新興高效能嵌入式記憶體,及協助客戶於效能與成本之間取得最佳優勢的系統整合解決方案等。

在受邀發表的論文中,台積電表示,將以「嵌入式磁阻式隨機存取記憶體技術近期進展與未來方向」為題,闡述非揮發性 eMRAM 技術,這也有望取代即將面臨微縮極限的嵌入式快閃記憶體的技術,具備銲錫迴焊(Solder Reflow)能力的 22 奈米 eMRAM,相較於 28 奈米嵌入式快閃記憶體,將大幅減少所需增加的光罩層,在寫入資料速度與可靠度也相對提升,未來可應用於穿戴式及物聯網裝置。

三篇亮點論文,探討 3 奈米製程的電晶體微縮挑戰

台積電指出,亮點論文將探討 3 奈米及更先進製程電晶體微縮面臨的挑戰,在於電晶體電子流通的通道不但要更短,同時也必須更薄,以確保良好的開關閘行為,因此衍生二維通道材料的研究,將利用產業所熟悉的的化學氣相沉積(CVD)半導體製程直接在矽晶基板上製造二硫化鎢(WS2)短通道電晶體。

其他 2 篇亮點論文則以整體系統層次出發,台積電表示,將藉由小晶片(Chiplet)的組合建構出系統而非個別電晶體的方式來解決微縮的挑戰,相較於將系統單晶片(System-on-Chip, SoC)的每一個元件放在單一裸晶上,小晶片能將不同的功能分散到可以不同的製程技術生產的個別微小裸晶,提供了靈活性與節省成本的優勢,也具有更好良率。

(本文經合作夥伴 鉅亨網 授權轉載,並同意 TechOrange 編寫導讀與修訂標題,原文標題為 〈台積電研究成果獲 VLSI 肯定 3 篇獲選為亮點論文 〉。首圖來源:Wikimedia Commons

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